また、GAAの出願数シェアはTSMCが31.4％、Samsungが20.6％とこの2社で過半を超しており、IBMの10.2％、GF5.5％、Intel4.7％とその後を米国勢が追撃する構図 ...

1:世界初、8nm Siナノワイヤを積層した横型GAA FETを発表 「2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits(VLSIシンポジウム 2016)」が、「スマート社会への変革の ...

gaaチャネルはエピタキシーと選択的材料除去を用いて形成されます。 このプロセスはチャネル幅と均一性を高精度で整えて消費電力と性能の最適 ...

3gaeは、従来のgaaではなく同社が特許を取得したgaaのバリエーション「mbcfet(マルチブリッジチャンネルfet)」を採用しているのが特徴で、同社は ...

ibmは競合に先駆けて2021年に2nm世代の半導体技術を開発した（写真:ibm）ai（人工知能）の急速な普及で、半導体の演算性能向上に対する市場の要求 ...

竹中 ラピダスは今後、次世代のgaaテクノロジーを採用して線幅2ナノという最先端のロジック半導体を生産していく計画だ。 実際の製品は、どの ...

ポンペ病は、ライソゾーム酵素の1つである酸性α-グルコシダーゼ（gaa）の先天的な遺伝子異常によりgaa活性の低下または欠損が原因で生じる疾患 ...

・ 先端半導体向けの材料、デバイス、プロセス、設計、環境負荷評価の研究開発を実施 ・ ゲートオールアラウンド(GAA)構造を含む3次元デバイス ...

湘南工科大学の渡辺重佳名誉教授・学事顧問は、ゲートオールアラウンド（GAA）技術を使った人工知能（AI）半導体回路を設計した。GAA ...

東レリサーチセンターは薄膜内の欠陥量を測定できる技術を開発した （出所:東レリサーチセンター）東レ子会社の東レリサーチセンター（東京 ...