“NOR闪存体已达到极限，无法兼容在28纳米 (nm)以下的工艺技术。”几年前，包括英飞凌在内的产业巨头对嵌入式NOR Flash技术极限下了如此定论。英飞凌甚至开发了铁电随机存取存储器 (FRAM)，试图证明其可作为NOR闪存的替代方案。