Samsung Semiconductorは7月9日のGalaxy Unpacked前に、新たなフラグシップモバイルSoC「Exynos 2500」を発表した。3nm ...

韓国Samsung Electronics（サムスン電子）が、次世代トランジスタのGAA（Gate All Around）ベースの3nm世代プロセスを使ったロジックICの量産を2022年上期から始める。21年10月7日にオンライン開催したSamsung Foundry Forum 2021で宣言した。台湾TSMC（台湾積体電路製造）や米Intel（インテル）に先んずる。

N2はFinFETではなくGAA（Gate All Around）トランジスタのプロセスになるとの噂はかねてあったが、今回正式に発表された。N2での生産は2025年に始める予定。 N2は、その前世代のプロセス「N3」と比較して同一消費電力ならば10～15％動作周波数が向上するという。

また、GAAの出願数シェアはTSMCが31.4％、Samsungが20.6％とこの2社で過半を超しており、IBMの10.2％、GF5.5％、Intel4.7％とその後を米国勢が追撃する構図 ...

GAAトランジスタを積層し並列化してAI処理に必要な積和演算を実行する。 まだ基礎的な設計段階だが、平面型に比べて12分の1から50分の1に製造コストを削減できる可能性がある。

この協業に基づき、ラピダスの2nm GAA製造プロセスと裏面電極(BSPDN:Backside Power Delivery Network)技術の設計および製造に対応したCadenceの設計 ...

gaaチャネルはエピタキシーと選択的材料除去を用いて形成されます。 このプロセスはチャネル幅と均一性を高精度で整えて消費電力と性能の最適 ...

湘南工科大学の渡辺重佳名誉教授・学事顧問は複数入力が可能な積層型GAA（ゲート・オール・アラウンド）トランジスタを設計した。GAAトランジスタでNAND回路やNOR回路を構成すると、従来技術の2割まで ...

3gaeは、従来のgaaではなく同社が特許を取得したgaaのバリエーション「mbcfet(マルチブリッジチャンネルfet)」を採用しているのが特徴で、同社は ...

次世代gaa技術の半導体を. 竹中 2022年8月のラピダス設立後、11月には米ibmから回路線幅2ナノメートル（ナノは10億分の1）の技術供与を受ける連携 ...