2025年(今年)は「FET(Field Effect Transistor: 電界効果トランジスタ)」が誕生してから100周年に当たるという。トランジスタと言えば、1947年12月に通称「ベル研」、厳密には「ベル電話研究所(BTL: Bell ...

NTTは9日、窒化アルミニウム（AlN）を用いた高周波トランジスタの動作に世界で初めて成功したと発表した。従来、AlNはパワーデバイス向け材料として期待されてきたが、今回の成果により無線通信向け応用の可能性が一挙に拡大した。

キオクシアは12月12日、高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術として高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術を開発したことを発表した。

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「パワートランジスタの世界市場レポート 2025年」（The Business Research ...

株式会社MUSINのプレスリリース（2025年12月12日 11時00分）【iBasso Audio】iBasso史上初のデスクトップヘッドホンアンプ製品。窒化ガリウムトランジスタを採用した、ヘッドホンアンプ『Kunlun-クンルン-』を12月19日 ...

米国で誕生して間もないトランジスタ技術に目を付け小型携帯ラジオを開発、ソニーを飛躍に導いた創業者・井深大。その根底には、異なる技術や知を結びつけ、既存資産を再構成する「オーケストレーション」の視点があった──。2025年8月に著書『組織の不条理を超え ...

NTTが世界に先駆けて半導体化に成功した窒化アルミニウム（AlN）（※1）の半導体技術を発展させ、AlN系高周波トランジスタの動作に世界で初めて成功しました。 これまでAlN系トランジスタの高周波信号増幅を妨げていた高い接触抵抗とチャネル抵抗の課題を、電極‐半導体界面のエネルギー障壁を低減するコンタクト層と高い電子濃度を発生するチャネル構造の設計により克服しました。 AlN半導体が、パワーデバイス ...

NTT株式会社は12月9日、窒化アルミニウム（AlN：「l」は小文字の「L」）を使用した「AlN系高周波トランジスタ」により、無線通信の高周波信号の増幅に世界で初めて成功したと発表した。

液晶性有機半導体の特性を活用し従来に比べ2,000倍以上の成膜速度を達成 10 cm角基板にボトムゲートボトムコンタクト型トランジスタ250個を試作 素子間のばらつきの小さい高移動度（Ph-BTBT-10: 4.1 cm 2 /Vs）を実現 東京工業大学 科学技術創成研究院 未来産業 ...

ゲルマニウムトランジスターの作り方について解説した、1959年のソニー寄贈の貴重な巻物です。最初本当に簡単にすませるつもりだったのですが、結局、結構な力作になってしまったので、内容を見てよろしければクリエイター支援頂ければ幸いです(^_-)。

1974年のAltair8800から、AppleII/PET ...