Samsung Semiconductorは7月9日のGalaxy Unpacked前に、新たなフラグシップモバイルSoC「Exynos 2500」を発表した。3nm ...

韓国Samsung Electronics（サムスン電子）が、次世代トランジスタのGAA（Gate All Around）ベースの3nm世代プロセスを使ったロジックICの量産を2022年上期から始める。21年10月7日にオンライン開催したSamsung Foundry Forum 2021で宣言した。台湾TSMC（台湾積体電路製造）や米Intel（インテル）に先んずる。

N2はFinFETではなくGAA（Gate All Around）トランジスタのプロセスになるとの噂はかねてあったが、今回正式に発表された。N2での生産は2025年に始める予定。 N2は、その前世代のプロセス「N3」と比較して同一消費電力ならば10～15％動作周波数が向上するという。

GAAとは何か？ GAA（Gate-All-Around）とは、日本語で「全周ゲート型トランジスタ」と訳され、次世代の半導体に使われる技術です。 従来のトランジスタよりも微細化が容易で、より高い性能と低消費電力を実現できることが期待されています。 なぜGAAが注目されているのか？

また、GAAの出願数シェアはTSMCが31.4％、Samsungが20.6％とこの2社で過半を超しており、IBMの10.2％、GF5.5％、Intel4.7％とその後を米国勢が追撃する構図 ...

GAAトランジスタを積層し並列化してAI処理に必要な積和演算を実行する。 まだ基礎的な設計段階だが、平面型に比べて12分の1から50分の1に製造コストを削減できる可能性がある。

先週の 7/17 ASML、7/18 TSM Q2決算から 生成AIトレンドは堅調であることが分かった。 本稿では生成AIに絡み今後の微細化に必要不可欠な GAA（gate-all-around）に関して TSMの進捗状況を絡め さらに関連銘柄において簡易に紹介したいと思う。 あと、余談だが生成AIにおいて重要な位置づけとなる HBM（High ...

gaaチャネルはエピタキシーと選択的材料除去を用いて形成されます。 このプロセスはチャネル幅と均一性を高精度で整えて消費電力と性能の最適 ...

この協業に基づき、ラピダスの2nm GAA製造プロセスと裏面電極(BSPDN:Backside Power Delivery Network)技術の設計および製造に対応したCadenceの設計 ...

3gaeは、従来のgaaではなく同社が特許を取得したgaaのバリエーション「mbcfet(マルチブリッジチャンネルfet)」を採用しているのが特徴で、同社は ...

湘南工科大学の渡辺重佳名誉教授・学事顧問は複数入力が可能な積層型GAA（ゲート・オール・アラウンド）トランジスタを設計した。GAAトランジスタでNAND回路やNOR回路を構成すると、従来技術の2割まで ...

湘南工科大学の渡辺重佳名誉教授・学事顧問は、ゲートオールアラウンド（GAA）技術を使った人工知能（AI）半導体回路を設計した。GAA ...